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<>一.概述
<>1.存储器的分类
<>1.1 按照存储介质分类
<>1.2 按照访存周期是否均等
<>1.3 按照访问类型分类（下面俩个如果是半导体类型的那他就是随机的）
<>1.4 按照在计算机系统中的作用分类
<>2.存储器的层次结构
速度从上到下，逐渐加快
容量从上到下，逐渐变大
价格/位从上到下，逐渐变低
实现原理——局部性原理：
（1）时间局部性：现在正在访问的信息可能马上还会被访问到
（2）空间局部性：现在正在访问的信息，与之相邻的信息可能马上也会被访问到
<>二.主存储器
<>1.主存储器的技术指标
<>1.1 存储容量
存储容量=存储单元个数 ✖ 存储字长
为了便于相互比较，现在习惯上把存储字长转换为Byte（8位）的倍数
<>1.2 速度
存取时间：启动一次操作到完成该操作的时间，仅与器件本身有关
存储周期：在系统中，存储器进行俩次连续独立操作的最小间隔时间
<>1.3 带宽（单位时间内存储器完成的最大数据传输位数）
是一个速率值，单位时间通常取 1s
<>2.半导体存储器的基本组成
<>2.1 译码驱动方式
(1)线性译码
特点:控制简单、速度快、但地址空间较小
(2)多重译码
特点:控制复杂、地址空间大
<>2.2半导体存储芯片
<>2.3 静态RAM（SRAM）
特点：存储一位二进制数需要6个三极管（触发器工作原理） 速度快、控制简单、容量小
<>2.3.1 静态RAM存储元结构
T 1 、 T 2 T_{1}、T_{2} T1、T2：触发
T 3 、 T 4 T_{3}、T_{4} T3、T4：负载
T 5 、 T 6 T_{5}、T_{6} T5、T6：门控（只有门控打开，才能与外部联通）
<>2.3.2 静态RAM基本电路
<>2.3.3 静态RAM的读操作
<>2.3.3 静态RAM的写操作（左边反相、右边原相）
<>2.3.4 静态RAM芯片举例——Intel2114
<>2.3 动态RAM（DRAM）
特点：存储一位二进制数仅需要1个三极管（靠三极管的极间电容存储数据） 速度略慢、控制复杂、需要刷新和重写操作、容量大
<>2.3.1 动态RAM三管
<>2.3.1 动态RAM单管
<>2.3.1 动态RAM的刷新（刷新的时候需要2根选择线同时有效）
所有的刷新操作都是按行进行的，刷新时选中某一行让他的读写选择线同时有效。
对于以下这个案例，只需要32次操作
<>2.3.2 动态RAM的刷新方式
<>2.3.2.1 集中刷新（有死时间）
<>2.3.2.2 分散刷新（无死时间，但刷新间隔少了很多）
<>2.4 动态RAM和静态RAM对比
<>2.4 只读存储器（ROM）
<>2.4.1 掩膜ROM（芯片生产后，内部数据无法更改，典型意义的ROM）
掩膜一个元器件，读出存储元数据为0。不淹膜，读出存储元数据为1
<>2.4.1 可编程ROM（PROM）
<>2.4.2 可擦除PROM（EPROM）（可多次操作）
电压是Vcc时，门开，高电压。电压换到Vpp时，浮动栅阻碍，门关，变成低电压。
<>2.4.3 电可擦PROM（EEPROM）
操作过程不需要紫外线，直接用特定电流。擦除更方便，但读写速度变慢。
<>2.4.4 闪存（高速的电可擦电路）
可以理解为一种快速的EEPROM，即闪存存储器，我们用的U盘就是这样的
<>2.5主存储器
<>2.5.1 存储容量的扩展
主存多由DRAM芯片构成（通常为多片）
（1）拓展链接：拓展数据
例：用芯片2114（1K✖4），构成1K✖8的存储器
解：1K：需要10根地址线 8：需要8根数据线
2114只能提供4位，所以我们需要俩个芯片。
（俩个芯片，1个提供低4位，一个提供高4位）
为了让他们同时操作，需要一个片选同时选中俩个。为了让他们同时读写，读写信号同时连接俩个芯片。
（2）扩字连接（扩展地址）
由于俩个芯片在地址线上不能完全一样，所以要加一个非门
（3）既需要扩字又需要扩位
将8个芯片分成4组，用2-4译码器，依次选择00、01、10、11来控制哪一组工作
<>2.5.1 存储芯片与CPU的连接
例一：
由于6000H-67FFH有11位变化，所以选 2 11 = 2 K 2^{11}=2K 211=2K，8根数据线1个就够了
由于6800H-6BFFH有10位变化，所以选 2 10 = 1 K 2^{10}=1K 210=1K，8根数据线要用2个
以上总共俩组芯片，前面的高位地址只有一位在变化。 A 11 A_{11} A11在变化，肯定在选，再选相邻的 A 12 、 A 13
A_{12}、A_{13}A12、A13作为3-8译码器的片选端C、B、A。则溢出的译码线为：100、101
则用剩下的 A 14 置 一 ， 用 A 15 置 0 A_{14}置一，用A_{15}置0 A14置一，用A15置0
剩下的就 A 10 A_{10} A10对于1K的RAM没有被用，可以让 A 10 与 A 15 A_{10}与A_{15} A10与A15
共同控制，构成与门
例二：
高三位是：101=5
原因：Y5接地或故障
<>2.6存储器的校验
<>2.6.1 编码的最小距离
任意俩组合法代码之间二进制之间的差异
L 最 小 码 距 − 1 = D 校 错 位 数 + C 纠 错 位 数 （ D ≥ C ） L_{最小码距}-1=D_{校错位数}+C_{纠错位数}
（D≥C）L最小码距−1=D校错位数+C纠错位数（D≥C）
由上面的公式，如果最小码距为1则既不能纠错也不能检错
如果想校错，L至少为2。如果想纠错，L至少为3。
<>2.6.2 奇偶校验码
在我们添加完一位之后，最小码距变为2.可以校验1位出错，但不能纠错。
<>2.6.3 汉明码
汉明码的组成需要添加k位检测位，且满足下列公式
2 k = n 数 码 的 位 数 + k 增 添 的 位 数 + 1 2^{k}=n_{数码的位数}+k_{增添的位数}+1 2k=n数码的位数+k增添
的位数+1
如果经过判断，发现 C 1 对 ， C 2 和 C 4 C_{1}对，C_{2}和C_{4} C1对，C2和C4
出错。则一定是他们共有的那一位出错，即第6位
<>2.7 提高方寸速度的措施
<>2.7.1 单体多字
只有一个存储体，但是能提供多个存储字。利用了访存的局部性原理，实际上是一种增加存储器带宽的方法。
存储体速度慢，所以要把他放到速度更快的数据寄存器里面。
<>2.7.2 多体并行系统——高位交叉（体内连续）
高位片选存储体，地位选择体内地址。
例如可以把CPU的访存放在0体，把IO放在3体，各个体并行工作互不干扰即可提高访存速度。
<>2.7.3 多体并行系统——低位交叉（体内连续）
第一个数需要一个存储周期，其余只需要间隔1/4周期得到。
必须连续访存才能提高速度，否则不行。
<>2.7.4 存储器控制部件
一般来说，IO优先级大于CPU，写操作优先级大于读操作。
但也要具体情况具体分析