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从SDRAM到DDR3：
SDRAM：（Dynchronous Dynamic Random Access Memory）同步动态随机存储器
同步时至其始终频率与CPU前端总线的系统时钟频率相同，并且内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据的读写。
物理Bank：处理器的位宽。
芯片位宽：每一片SDRAM缓存芯片本身的位宽。
逻辑Bank：SDRAM内部存储空间划分的片区。
SDRAM的操作指令：
这些信号都是接在FPGA的引脚上面的。
SDRAM操作时序：
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位[2:0]代表的突发长度：由这三位组成的二进制书的值作为2的指数，比如三位为0、0、0，则这三位组成的二进制数为0，2的0次方为1，则突发长度为1，同理可得，如果组成的二进制数为1，则突发长度为2，以此类推到突发长度为8时为止，在三位都为1时，表示的是整页突发，其余数值没有意义。
* 位3表示的是突发的类型，0表示的是顺序型的突发；1表示的是交叉型的突发。
*
位[6:4]表示的是时钟的延时位，这个时钟延时位只在读操作的时候有，在写操作的时候是没有的。只有在位[6:4]组成的二进制数为1、2、3时才有效，其值表示在每次读数据的时候延时的时钟个数，而当组成的二进制数为其他值时，是无效的。
* 位[8:7]及位[12:10]一般是用不到的。
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位9表示控制写的突发长度，如果这位值为0表示写的突发长度和读操作的突发长度默认一样；如果这位值为1表示另起一个单独的通道，可以单独设置写的突发长度。但是一般写和读的突发长度都设定为一样的，所以一般设定此位位0。
读时序：（突发模式）
读时序：（连续模式，一个一个的读）
写时序：（突发模式）：
和读时序基本没差，主要区别是在读时，是不用延时时钟的
写时序：（连续模式，一个一个的写）
可以看到，读和写操作时序的两种模式（突发和连续模式）都是包含基本三种信号：命令信号（command）、地址信号（address）、数据信号（DQ）
突发模式和连续模式都有各自的缺点：
突发模式：在突发模式下，地址一定是连续的；
连续模式：在连续模式下，需要过多的命令指令（command），占用过多的时钟资源。
DDR SDRAM:(DDR1)
时序图：
CK#:差分时钟
差分时钟是与基准时钟频率相同、相位相反的时钟信号。
有差分时钟信号的情况下，就可以让数据在差分时钟和基准时钟的交叉点传输一次，这样就可以在一个周期内传输两次数据，从而达到传输速率翻倍的效果。
DQS信号：
DQS信号是作为与数据同步的信号，信号值每翻转一次数据就传输一次，达到同步的效果。
DQS信号是由数据起始者产生的，比如当主机去读从机的数据时，此时DQS信号是由从机产生的；而当主机向从机写数据时，此时的DQS信号是由主机产生的。
DDR2:
DDR2的传输速率比DDR1快一倍，也就是比SDRAM快四倍。
OTD Control：（片内终结）
所谓的终结，就是让信号被电路的终端吸收掉，而不会在电路上形成反射，造成对后面信号的影响。
OCD：
OCD的作用：
前置CAS、附加潜伏期与写入潜伏期
时序图：
DDR3:
DDR3相对于DDR2的区别：
①突发长度
DDR2的预取为4bit，而DDR3的预取为8bit
②寻址时序
③新增重置功能
④新增ZQ校准功能
⑤参考电压分成两个
⑥点对点连接