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RAM 的英文全称是 Random Access
Memory，即随机存取存储器，它可以随时把数据写入任一指定地址的存储单元，也可以随时从任一指定地址中读出数据，其读写速度是由时钟频率决定的。RAM主要用来存放程序及程序执行过程中产生的中间数据、运算结果等。
ISE软件自带了BMG IP核（Block Memory Generator，块 RAM 生成器），可以配置成 RAM 或者ROM。 这两者的区别是 RAM
是一种随机存取存储器，不仅仅可以存储数据，同时支持对存储的数据进行修改；而 ROM
是一种只读存储器，也就是说，在正常工作时只能读出数据，而不能写入数据。需要注意的是，配置 成 RAM 或者 ROM 使用的资源都是 FPGA 内部的
BRAM，只不过配置成 ROM 时只用到了嵌入式 BRAM 的读数据端口。
Spartan-6 系列器件内部的 BRAM 全部是真双端口 RAM（True Dual-Port ram，TDP），这两个端口都可以独立地对 BRAM
进行读/写。但也可以被配置成伪双端口 RAM（Simple Dual-Port ram，SDP）（有两个 端口，但是其中一个只能读，另一个只能写）或单端口
RAM（只有一个端口，读/写只能通过这一个端口来 进行）。单端口 RAM 只有一组数据总线、地址总线、时钟信号以及其他控制信号，而双端口 RAM 具有两
组数据总线、地址总线、时钟信号以及其他控制信号。
首先创建ip核，在搜索栏中输入 block，然后会弹出 Block Memory Generator，选中它然后点击 Next， 会进入 Summary
界面，可以在Summary 界面再次检查一下工程名，工程路径等信息，直接点击 Finish 进入RAM IP 核的参数配置界面。
参数配置第一页：选择接口类型。Native为普通接口，AXI4为总线接口。一般选择Native。
参数配置第二页：可配置的参数较多其中：
Memory Type：存储器类型。可配置成 Single Port RAM（单端口 RAM）、Simple Dual Port RAM（伪 双端口
RAM）、True Dual Port RAM（真双端口 RAM）、Single Port ROM（单端口 ROM）和 Dual Port ROM （双端口
ROM）。
ECC Options：Error Correction Capability，纠错能力选项，单端口 RAM 不支持 ECC。
Write Enable：字节写使能。勾中后可以单独将数据的某个字节写入 RAM 中，这里不使能。
Algorithm：算法选项。可选择 Minimum Area（最小面积）、Low Power（低功耗）和 Fixed Primitives （固定的原语）。
参数配置第三页：主要是配置读写数据的位宽、深度、模式和使能。
Write Width：端口 A 写数据位宽，单位为Bit。
Read Width：端口 A 读数据位宽，一般和写数据位宽保持一致。
Write Depth：写深度，这里设置成32，即RAM所能访问的地址范围为 0-31。
Read Depth：读深度，默认和写深度保持一致。
Operating Mode：RAM 读写操作模式。共分为三种模式，分别是 Write First（写优先模式）、Read First （读优先模式）和
No Change（不变模式）。写优先模式指数据先写入 RAM 中，然后在下一个时钟输出该 数据；读优先模式指数据先写入 RAM 中，同时输出 RAM
中同地址的上一次数据；不变模式指读写分开操作，不能同时进行读写。
Enable Port Type：使能端口类型。Use ENA Pin（添加使能端口 A 信号）；Always
Enabled（取消使能信号，端口A一直处于使能状态）。可以设置为一直使能，即代码中可不写使能信号。
参数配置第四页：不需要设置。
参数配置第五页：选择是否添加复位引脚。
参数配置第六页：类似 Summary 界面，保持默认设置即可，直接点击 Generate 生成 RAM IP 核。
接下来就可以对 RAM IP 核进行读写操作了。需要创建一个读写模块和一个顶层模块，读写模块顾名思义，顶层模块主要用来例化 RAM IP 核模块和读写模块。
当代码全部写好后，会发现编译过不了报错，因为所有的逻辑都是在 FPGA 内部进行，内部产生数据，
内部读写，对外界没有产生任何影响，软件会给我们报错。这个时候可以定义一些冗余输出端口，把想要观察的信号赋值给冗余输出端口，这样既方便我们仿真和在线调试，编译也不会再报错。
我们可以看到我将想要观察的信号全部重新定义了一遍加上后缀为_tb，并把它们作为输出端口，然后把想要观察的信号赋值给这些输出端口，这样软件就不会报错了。